絕地反擊!三星2納米良率大幅提升,勢與臺積電一戰
隨著半導體制程競賽邁入 2 納米時代,三星與臺積電的技術角力再度升級。最新消息顯示,兩家巨頭的 2 納米良率差距已縮小至 20% 以內,一場圍繞先進制程的訂單爭奪戰正悄然拉開帷幕。
三星 2 納米進展:良率目標 50%,劍指 Exynos 2600 量產
據韓國 媒體 報道,三星 2 納米制程已進入關鍵節點 —— 為 Galaxy S26 系列定制的 Exynos 2600 芯片已啟動原型量產,目標是在不犧牲性能的前提下將良率提升至 50% 以上。若達成這一目標,三星計劃于 2026 年初開啟全面量產。
值得注意的是,三星 2 納米工藝的良率提升頗具挑戰性。今年初的初始測試量產中,其良率僅約 30%,目前的良率已達到40%,而此次 50% 的目標若實現,將較初期提升 20 個百分點。這一進展被視為三星 Foundry 的重要里程碑,尤其是對比其 3 納米工藝 —— 即便量產三年,良率仍徘徊在 50% 左右。作為三星 2 納米技術的 “試金石”,Exynos 2600 的性能與良率將直接影響業界對其下一代制程的信心。若能成功量產,三星有望憑借 Exynos 芯片重新與高通驍龍形成競爭,進一步控制成本。
此外,三星正積極拓展 2 納米訂單版圖。據《朝鮮 經濟 》報道,其已與 NVIDIA、高通進入 2 納米性能測試的最后階段,目標成為兩家巨頭的二級供應商。其中,高通的 Snapdragon 8 Gen 4 “Elite 2” 芯片可能采用三星 2 納米制程,預計 2026 年下半年在 Galaxy 手機 中亮相。
臺積電 2 納米領跑:良率突破 60%,客戶陣容豪華
相比之下,臺積電在 2 納米賽道已展現領先優勢。據韓國《前鋒報》消息,臺積電 2 納米制程良率已突破 60%,跨越穩定量產門檻,較三星當前 40% 左右的良率(傳聞)形成約 20% 的差距。其 2 納米工藝首次采用環繞式閘極(GAA)架構,相較 3 納米制程,效能提升 10%-15%,能耗降低 25%-30%,晶體管密度提高 15%。
臺積電的 2 納米客戶名單堪稱豪華,延續了 3 納米時期的核心合作方,包括 蘋果 、NVIDIA、AMD、高通、聯發科等。其中,聯發科執行長蔡力行已透露,其 2 納米芯片將于今年 9 月設計定案。產能布局方面,臺積電計劃 2025 年下半年在新竹寶山和高雄廠啟動 2 納米生產,率先搶占先進制程市場份額。
競爭焦點:良率差距縮小,訂單爭奪白熱化
盡管臺積電當前良率領先,但三星正通過技術迭代縮小差距。三星寄望于 3 納米 GAA 架構的經驗積累,加速 2 納米良率提升,并挖角臺積電前高管韓美玲(Margaret Han)執掌晶圓代工部門,試圖復制臺積電的管理經驗。而臺積電則憑借成熟的良率和客戶信任度,鞏固其龍頭地位。
業內分析指出,2 納米制程的競爭不僅關乎技術實力,更直接影響半導體產業鏈的話語權。三星若能將良率穩定在 50% 以上,有望以成本優勢吸引 NVIDIA、高通等客戶作為備選供應商,而臺積電則憑借更高良率和產能保障,繼續占據主流訂單。隨著兩家巨頭在 2025 年下半年陸續投產 2 納米,一場圍繞高性能芯片的 “代工大戰” 已一觸即發。
從 3 納米到 2 納米,半導體制程的每一步突破都伴隨著良率的艱難爬坡。如今,三星與臺積電的良率差距已壓縮至 20% 以內,這場技術與 商業 的雙重較量,或將重新定義全球芯片代工市場的格局。
【來源:EETOP】